34055 Fabrikation af nanofotoniske komponenter

2020/2021

Kursusinformation
Fabrication of nanophotonic devices
Engelsk
10
Kandidat
E5 (ons 8-17)
Campus Lyngby
Formiddag: 9-12 forelæsning/​gruppearbejde. 13-17 eksperimentelt arbejde (rentrum/​testlaboratorier). Nogle gange ekstra laboratoriearbejde. Hjemmeopgaver.
13-uger
E5A, F5A
Mundtlig eksamen og bedømmelse af opgave(r)
Mundtlig eksamen (~50%), hjemmeopgaver (~50%). Nogle hjemmeopgaver er gruppeopgaver og der foretages derfor en helhedsvurdering ved den endelige karaktergivning.
Den mundlige eksamen er normalt 25 min
Uden hjælpemidler
7-trins skala , ekstern censur
34057
33255.34034 , Fotonik. Grundlæggende kendskab til halvledere og halvlederkomponenter
Minimum 4 Maksimum: 9
Kresten Yvind , Lyngby Campus, Bygning 345A, Tlf. (+45) 4525 6366 , kryv@fotonik.dtu.dk
Elizaveta Semenova , Lyngby Campus, Bygning 345A, Tlf. (+45) 4525 6385 , esem@fotonik.dtu.dk
Jesper Hanberg , Lyngby Campus, Bygning 347, Tlf. (+45) 4525 5828 , jehan@dtu.dk
34 Institut for Fotonik
I studieplanlæggeren
Kontakt underviseren for information om hvorvidt dette kursus giver den studerende mulighed for at lave eller forberede et projekt som kan deltage i DTUs studenterkonference om bæredygtighed, klimateknologi og miljø (GRØN DYST). Se mere på http://www.groendyst.dtu.dk
Overordnede kursusmål
At give dig en teoretisk og praktisk viden om processteknologi for III-V halvledere. Dette vil dels foregå ved en begrænset forelæsningsaktivitet, mens størstedelen af tiden vil blive anvendt til at fremstille og teste en optoelektronisk komponent (kantemitterende halvlederlaser eller VCSEL). Udover en basal praktisk træning vil vi lægge vægt på den ingeniørmæssige forståelse af processer, maskiner og generel rentrumsteknologi.
Læringsmål
En studerende, der fuldt ud har opfyldt kursets mål, vil kunne:
  • beskrive egenskaberne af vådætse til III-V materiale og være i stand til at udvælge én til en given anvendelse
  • forklare tørætsning af III-V strukturer og beskrive wafer egenskaberne efter ætsen
  • forklare skabelsen af ohmske kontakter til III-V materialer og beskrive metallurgien bag Ti-Pt-Au og Ni-Ge-Au kontakter
  • beskrive de kritiske emner og mulige løsninger til pakning af optiske komponenter
  • opliste metoderne til fotonisk integration og vurdere fordele og ulemper ved metoderne
  • forklare den grundlæggende dyrkningsmekanik bag og redegøre for de praktiske aspekter af epitaksi af bulk, kvantebrønde og -punkter
  • forklare de procestrin, der er nødvendige til at fremstille en laserkomponent
  • beskrive ydelsen og principperne bag det tilgængelige procesudstyr og være i stand til at betjene det
  • vurdere ydelsen af de fabrikerede lasere
  • designe eller ændre en procesfølge for III-V halvledere ved brug af standard processer
  • vise korrekt adfærd i et rentrum med farlige stoffer og kunne dokumentere en kompliceret procesfølge
Kursusindhold
Aktive fotoniske komponenter. Fysik og kemi for III-V halvledere. Krystalstrukturens betydning for processering. Våd- og tør-ætsning. Fremstilling af nanostrukturer ved epitaxi: MBE og MOCVD. Integreret optoelektronik og fotonik. Heterogen siliciumfotonik. Pakning af optoelektroniske komponenter. Praktisk fabrikation med halvlederlaseren som eksempel. Renhed og sikkerhed. Monitorering af process. Proceslog. Forståelse af rentrum og processudstyrs opbygning og de komponenter der indgår. Grundlæggende test af halvlederlasere.
Litteraturhenvisninger
Chapters from multiple books and papers
Primær: III-V Integrated Circuit Fabrication Technology. Ed. Shiban Tiku and Dhrubes Biswas.
Sidst opdateret
05. maj, 2020