At sætte dig i stand til at kunne udnytte og vurdere de forskellige
tilgængelige metoder til fremstilling af halvlederkomponenter og
integrerede kredsløb og blive fortrolig med det apparatur og
hjælpeudstyr, som man betjener sig af ved arbejdet med ovennævnte
metoder. På baggrund af dette at kunne udarbejde detaljerede
procesfølger for fremstilling af halvlederkomponenter, integrerede
halvlederkredsløb og mikrosystemer, at kunne evaluere de opnåede
resultater, at forstå sammenhængen mellem de fysiske modeller, den
anvendte fremstillingsprocedure og de opnåede resultater. I kurset
indgår en praktisk øvelse i DANCHIP’s rentrum.
Læringsmål:
En studerende, der fuldt ud har opfyldt kursets mål, vil kunne:
Benytte analytisk – lineær eller ulineær – modellering til en
indledende optimering i procesfølge udvikling samt anvende
analytisk modellering til støtte for fortolkning af resultater fra
numerisk modellering
Redegøre for den fascinerende vekselvirkning mellem diffusion,
oxidation og nitridation forårsaget af punktdefekter samt forudsige
resultatet af disse effekter på en fremstillingsproces
Redegøre for hvorledes filmdyrkningsproces parametre påvirker
filmenes parametre, herunder trindækning og fyldning af grøfter,
samt benytte denne indsigt til at optimere procesparametrene med
henblik på at opfylde et sæt specifikationer
Redegøre for hvorledes parametrene for en ætseproces påvirker
ætseegenskaberne, herunder selektiviteten og anisotropien, og på
baggrund heraf kunne justere ætseparametrene for at realisere
foreskrevne egenskaber
Redegøre for hvordan krystaldyrkningsmetoden påvirker
siliciumkrystallens egenskaber og vekselvirker med efterfølgende
komponentfremstillings-processer og på basis heraf vælge det bedste
startmateriale for en given anvendelse
Redegøre i detalje for UV-litografiens fysik og fotokemi og
benytte denne viden til at optimere den litografiske proces også
når omvendeprocesser benyttes
Vælge den mest hensigtsmæssige doteringsmetode til en given
anvendelse og til fulde forstå konsekvenserne af valget med hensyn
til termisk budget, defekter, muligt doteringsniveau og
kontrol
Beskrive kompleksiteten der er involveret i pakning af
mikrosystemer
Kursusindhold:
Fysik og kemi for halvlederteknologiske fremstillingsprocesser,
herunder krystaldyrkning, epitaxi, tyndfilmteknik, lavtryks CVD,
oxidation, diffusion, ionimplantation, ætsning, mikrofotolitografi
og indkapsling samt fysisk og elektrisk evaluering af
materialer.
Litteraturhenvisninger:
J.D. Plummer, M.D. Deal, and P.B. Griffin "Silicon VLSI
Technology, fundamentals, practice and modeling" Prentice Hall
(2000) ISBN 0-13-085037-3
