2013/2014

33253 Mikro-1: Faststofelektronik og mikroteknologi

Engelsk titel:

Micro 1: Solid-state Electronics & Microtechnology

Sprog:

Point( ECTS )

10

Kursustype:

Bachelor
Kurset udbydes under åben uddannelse
 

Skemaplacering:

F2 (man/tors)

Undervisningens placering:

Campus Lyngby

Undervisningsform:

Forelæsninger, grupperegning, eksperimentelle øvelser og projektarbejde, 2x4 timer om ugen.

Kursets varighed:

13-uger

Eksamensplacering:

E2A, F2A

Evalueringsform:

Eksamens varighed:

Hjælpemidler:

Bedømmelsesform:

Anbefalede forudsætninger:

Overordnede kursusmål:

Faststofelektroniske komponenter og mikroteknologi indgår i en lang række produkter, der spænder fra transistoren i en computerchip til airbag føleren i en bil.

Målet med kurset er at give dig en forståelse af, hvorledes disse moderne faststofelektroniske komponenter virker og hvordan de fremstilles. Når du har fulgt kurset vil du være i stand til at designe en simpel fremstillingsproces for en faststofelektronisk komponent (f.eks. en bipolær transistor eller en air-bag sensor), og kunne beregne strøm-spændings karakteristikken for komponenten. Du vil være i stand til både at kunne foretage de nødvendige beregninger hertil analytisk og ved anvendelse computerbaserede design og simuleringsværktøjer.

Læringsmål:

En studerende, der fuldt ud har opfyldt kursets mål, vil kunne:
  • Beskrive krystalstrukturen for silicium, forklare begreberne energibånd, Ferminiveau, huller og elektroner og bestemme koncentration af ladningsbærere som funktion af dotering og temperatur.
  • Forklare ambipolær transport (drift, diffusion, generation, rekombination).
  • Beregne mobilitets-/​diffusionskonstant, elektrisk strøm, resistivitet samt konduktans af en given leder både med analytiske metoder og vha. COMSOL
  • Forklare hvorledes faststofelektroniske komponenter kan fremstilles
  • Forklare virkemåden for en række faststofelektroniske komponenter (dioder, MOS struktur, MOSFET, bipolære transistorer samt piezoresistive komponenter
  • Udlede og beregne strøm-spændingskarakteristik for dioder og transistorer
  • Udregne tærskelspændinger, strømme og CV karakteristikker for MOS komponenter
  • Beskrive anvendelser af piezoresistive komponenter
  • Forklare den piezoresistive effekt baseret på en tensorbeskrivelse
  • Udlede og beregne spændings-tryk/​accelerationskarakteristik for piezoresistive sensorer
  • Anvende finite element programmet COMSOL til at beregne mekanisk spænding i mikromekaniske strukturer
  • Anvende "reverse engineering" til at finde ud af hvorledes faststofelektroniske komponenter er lavet

Kursusindhold:

På kurset gennemgås indledende faststoffysik for halvledere i det omfang det er nødvendigt for at kunne forstå de komponenter der behandles i kurset. Dette omfatter:
· krystalstruktur
· elektroner og huller i rene og doterede halvlederkrystaller
· energibånd diagrammer og energibånd gab
· transportfænomener: drift og diffusion samt injektion og rekombination
· piezoresistivitet

Virkemåden og fremstillingsprocessen for en række faststofelektroniske komponenter beskrives - dette omfatter:
· pn junction dioden
· den bipolære transistor
· metalhalvleder overgangen
· MOSFETen
· Piezoresistive komponenter (f.eks. tryk- og airbagsensorer)
· Kapacitive sensorer

Endvidere gennemgås indledende mikroteknologi i det omfang det er nødvendigt for at kunne designe simple fremstillingsprocesser for halvlederkomponenter:
· epitaksi
· fotolitografiske processer
· våd- og tørætsning
· termisk oxidation
· diffusion og ionimplantation
· tyndfilm deponering
· LPCVD processer

For at kunne designe simple processer arbejdes der også med en række computerbaserede værktøjer, der tillader simulering af fremstillingsprocessen og virkemåden af komponenten. Kurset indeholder også en række laboratorieøvelser, hvor forskellige halvlederkomponenter karakteriseres.

Kurset afsluttes med et projekt hvor der arbejdes nærmere med en valgt komponent. Du vil foretage målinger på komponenten, skille den ad og finde ud af hvorledes den er fremstillet og virker - komponentens virkemåde beskrives og der udarbejdes en fremstillingsproces for komponenten. Hertil anvendes de computerbaserede designværktøjer der måtte være nødvendige.

Litteraturhenvisninger:

I kurset anvendes lærebogen:
Semiconductor Physics and Devices
Donal A Neamen
4. udgave

Kursusansvarlig:

Erik Vilain Thomsen , Bygning 344, rum 028, Tlf. (+45) 4525 5766 , erik.v.thomsen@nanotech.dtu.dk
Mads Brandbyge , Bygning 344, rum 024, Tlf. (+45) 4525 6328 , mads.brandbyge@nanotech.dtu.dk

Institut:

33 Institut for Mikro- og Nanoteknologi

Tilmelding:

I CampusNet
Sidst opdateret: 08. maj, 2013