2012/2013

34057 Fabrikation af nanofotoniske komponenter

Engelsk titel: 


Fabrication of Nanophotonic Devices

Sprog:


Point (ECTS )


7.5

Kursustype:   

Civil- Videregående Kursus


Skemaplacering:

E5

 

Undervisningsform:

Formiddag: 10-12 forelæsning/gruppearbejde. 13-17 eksperimentelt arbejde (rentrum/testlaboratorier). Nogle gange ekstra laboratoriearbejde. Hjemmeopgaver.

Kursets varighed:

13-uger

Eksamensplacering:

E5A,   F5A 

Evalueringsform:

Hjælpemidler:

Bedømmelsesform:

Faglige forudsætninger:

Ønskelige forudsætninger:

,

Deltagerbegrænsning:

Minimum  4, Maksimum:  9
 

Overordnede kursusmål:

At give dig en teoretisk og praktisk viden om processteknologi for III-V halvledere. Dette vil dels foregå ved en begrænset forelæsningsaktivitet, mens størstedelen af tiden vil blive anvendt til at fremstille og teste en optoelektronisk komponent (halvlederlaser eller forstærker). Udover en basal praktisk træning vil vi lægge vægt på den ingeniørmæssige forståelse af processer, maskiner og generel rentrumsteknologi.


Læringsmål:

En studerende, der fuldt ud har opfyldt kursets mål, vil kunne:
  • beskrive egenskaberne af vådætse til III-V materiale og være i stand til at udvælge én til en given anvendelse
  • forklare tørætsning af III-V strukturer og beskrive wafer egenskaberne efter ætsen
  • forklare skabelsen af ohmske kontakter til III-V materialer og beskrive metallurgien bag Ti-Pt-Au og Ni-Ge-Au kontakter
  • beskrive de kritiske emner og mulige løsninger til pakning af optiske komponenter
  • opliste metoderne til fotonisk integration og vurdere fordele og ulemper ved metoderne
  • forklare den grundlæggende dyrkningsmekanik bag og redegøre for de praktiske aspekter af epitaksi af bulk, kvantebrønde og -punkter
  • forklare de procestrin, der er nødvendige til at fremstille en laserkomponent
  • beskrive ydelsen og principperne bag det tilgængelige procesudstyr og være i stand til at betjene det
  • vurdere ydelsen af de fabrikerede lasere
  • designe eller ændre en procesfølge for III-V halvledere ved brug af standard processer
  • vise korrekt adfærd i et rentrum med farlige stoffer og kunne dokumentere en kompliceret procesfølge

Kursusindhold:

Aktive fotoniske komponenter. Fysik og kemi for III-V halvledere. Krystalstrukturens betydning for processering. Våd- og tør-ætsning. Fremstilling af nanostrukturer ved epitaxi: MBE og MOCVD. Integreret optoelektronik og fotonik. Pakning af optoelektroniske komponenter. Praktisk fabrikation med halvlederlaseren som eksempel. Renhed og sikkerhed. Monitorering af process. Proceslog. Forståelse af rentrum og processudstyrs opbygning og de komponenter der indgår. Grundlæggende test af halvlederlasere.


Litteratur:

Baca og Ashby: Fabrication of GaAs Devices, ISBN: 9780863413537 (available as e-book at DTIC) + kopier


Mulighed for GRØN DYST deltagelse:

Kontakt underviseren for information om hvorvidt dette kursus giver den studerende mulighed for at lave eller forberede et projekt som kan deltage i DTUs studenterkonference om bæredygtighed, klimateknologi og miljø (GRØN DYST). Se mere på http://www.groendyst.dtu.dk/kursustilmelding.aspx


Kursusansvarlig:

Kresten Yvind, 345v, 174, (+45) 4525 6366, kryv@fotonik.dtu.dk  
Elizaveta Semenova, 345v, 182, (+45) 4525 6385, esem@fotonik.dtu.dk  

Institut:

34 Institut for Fotonik

Tilmelding:

I CampusNet
Sidst opdateret: 28. april, 2012