At sætte dig i stand til at kunne udnytte og vurdere de forskellige tilgængelige metoder for fremstilling af halvlederkomponenter og integrerede kredsløb og blive fortrolig med det apparatur og hjælpeudstyr, som man betjener sig af ved arbejdet med ovennævnte metoder. På baggrund heraf at kunne udarbejde detaljerede procesfølger for fremstilling af halvlederkomponenter, integrerede halvlederkredsløb og mikrosystemer og at kunne evaluere de opnåede resultater og forstå sammenhængen mellem de fysiske modeller, den anvendte fremstillingsprocedure og de opnåede resultater. I kurset indgår en praktisk øvelse i DANCHIP’s rentrum.
Læringsmål:
En studerende, der fuldt ud har opfyldt kursets mål, vil kunne:
Benytte analytisk – lineær eller ulineær – modellering til en indledende optimering i procesfølge udvikling samt anvende analytisk modellering til støtte for fortolkning af resultater fra numerisk modellering.
Redegøre for den fascinerende vekselvirkning mellem diffusion, oxidation og nitridation forårsaget af punkt-defekter samt forudsige resultatet af disse effekter på en fremstillingsproces.
Redegøre for hvorledes film-dyrkningsproces parametre påvirker filmenes parametre, herunder trin-dækning og fyldning af grøfter, samt benytte denne indsigt til at optimere procesparametrene med henblik på at opfylde et sæt specifikationer.
Redegøre for hvorledes parametrene for en ætseproces påvirker ætse-egenskaberne, herunder selektiviteten og anisotropien, og på baggrund heraf kunne justere ætseparametrene for at realisere foreskrevne egenskaber.
Redegøre for hvordan krystaldyrkningsmetoden påvirker siliciumkrystallens egenskaber og vekselvirker med efterfølgende komponentfremstillings-processer og på basis heraf vælge det bedste startmateriale for en given anvendelse.
Redegøre i detalje for UV-litografiens fysik og foto-kemi og benytte denne viden til at optimere den litografiske proces også når omvendeprocesser benyttes.
Vælge den mest hensigtsmæssige doteringsmetode til en given anvendelse og til fulde forstå konsekvenserne af valget med hensyn til termisk budget, defekter, muligt doterings niveau og kontrol.
Beskrive kompleksiten der er involveret i pakning af mikrosystemer.
Kursusindhold:
Fysik og kemi for halvlederteknologiske fremstillingsprocesser, herunder krystaldyrkning, epitaxi,tyndfilmteknik, lavtryks CVD, oxidation, diffusion, ionimplantation,ætsning, mikrofotolitografi og indkapsling samt fysisk og elektrisk evaluering af materialer.
Litteratur:
J.D. Plummer, M.D. Deal, and P.B. Griffin "Silicon VLSI Technology, fundamentals, practice and modeling" Prentice Hall (2000) ISBN 0-13-085037-3
